ظرفیت : 250 گیگابایت نوع رابط : ام2 - M.2 سرعت خواندن اطلاعات : 2900 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات : 1300 مگابایت بر ثانیه نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND 3-bit MLC نوع کنترل کننده : Samsung In-House میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت
تعداد فن یک عدد فرم فاکتور ATX جریان 5+ ولت استندبای ۲.۵ آمپر جریان 12- ولت ۳. آمپر جریان 12+ ولت اول ۴۵ آمپر جریان 5+ ولت ۲۰ آمپر جریان 3.3+ ولت ۲۴ آمپر محدوده فرکانس ورودی ۵۰HZ هرتز استانداردهای حفاظتی OVP/UVP/OCP/OPP/OTP/SCP/SIP بازده ۸۰Plus کانکتور 4+4 پین E-ATX / ATX...